台積電擬進軍先進記憶體晶片製造，應英偉達要求布局3D DRAM

BlockBeats 消息，11 月 6 日，據 The Information 報導，兩名消息人士表示，台積電 (TSM.N) 正在考慮擴展到先進記憶體晶片製造領域，這一舉措將使全球最大的晶片製造商在 AI 硬體供應鏈中佔據更大份額。台積電 (TSM.N) 最近開始制定生產一種特定類型的先進記憶體晶片——3D DRAM 的計劃，響應其最大用戶輝達 (NVDA.O) 的請求。DRAM，即動態隨機存取記憶體，在處理器使用數據時保存數據。與傳統 DRAM 不同，傳統 DRAM 將記憶體單元放在單層中，而 3D DRAM 則將單元垂直堆疊以容納更多記憶體。

記憶體晶片製造目前由三星電子、SK 海力士和美光科技主導。這三家公司也在開發 3D DRAM 技術，展開下一代記憶體製造的競爭。這場由 AI 硬體熱潮引發的記憶體晶片嚴重短缺，導致價格飆升，並促使輝達和蘋果等晶片設計公司尋找額外的供應來源。今年早些時候，蘋果因記憶體成本上升而提高了其設備的價格。