简而言之
· 美林将第三季度全球 DRAM 平均销售价格(ASP)涨幅上调至 21%,服务器 DRAM 合同价已上涨 20%-30%。
· 非 LTA 订单比例高,现货价格连续上涨八周,这是继续推动 DRAM 价格上涨的主要依据。
· 三星、SK 海力士、美光受益于价格上涨,但高价格可能抑制下游库存补充。
美林最新的渠道调查将第三季度全球 DRAM 平均销售价格(ASP)的环比涨幅预期上调至 21%,明显高于 TrendForce 先前提出的 13%-18% 一般型 DRAM 合同价涨幅区间。
这次调整的焦点不是整个存储行业的景气恢复,而是服务器内存率先上涨。美林表示,第三季度服务器 DRAM 合同价环比上涨了 20%-30%,高于市场先前普遍预期的不到 20%,主要由高速 LPDDR5 需求推动。
对于投资者来说,内存价格的每次提升直接影响三星、SK 海力士、美光等存储厂商的收入和利润弹性。这也在验证人工智能服务器、个人电脑和手机补充库存的强度。现在的问题是,内存价格已经上涨到多年高点,第三季度的价格涨幅能否顺利实现,将取决于九月的旺季订单和人工智能资本支出是否能够持续传导至订单。

与 TrendForce 相比,美林关于 DRAM/NAND ASP 的预测:DRAM 第三季度涨幅为+21%,TrendForce 一般型 DRAM 为+13%-18%。
美林比 TrendForce 更为乐观的原因在于合同结构。
在服务器 DRAM 市场,长期协议(LTA)并未完全锁定所有价格。美林估计,非 LTA 销售占比达到 60%-70%,这部分价格更容易随供需变化上涨。即使在部分 LTA 合同下,供应商也能实现 5%-10% 的价格上涨。

这让第三季度的DRAM价格并非完全受制于年初或早期合同。只要人工智能服务器、高速 LPDDR5 和相关内存需求继续保持强劲,现货和短期合同的价格就会将涨幅传导至ASP。
美銀目前給出的 DRAM ASP 路徑是二季度環比+53%、三季度+21%、四季度+7%。與 TrendForce 相比,美銀對三季度仍明顯更樂觀,但二季度基數和統計口徑存在差異。分歧集中在三季度到底能漲多少,以及四季度漲幅會回落到什麼程度。
NAND 也在回暖,但不是這份報告最強的鉤子。美銀預計 NAND 三季度 ASP 環比上升 15%,高於或接近 TrendForce 給出的 10%-15% 區間。本周 NAND 現貨中,1Tb 晶圓價格周環比上漲 4%,為三季度漲價提供了一定支撐。
DRAM 現貨價格已經連續八周上漲,7 月價格繼續環比走高。美銀渠道核查顯示,DDR5 和 DDR4 現貨都指向三季度約 20% 的環比增長。

更需要警惕的是絕對價格。
當前 16Gb DDR5 現貨價格約 49.2 美元,季度環比上漲 28%。16Gb DDR4 現貨價格約 80.1 美元,季度環比上漲 16%。伺服器 64GB DDR5 模組合同價已經超過 1,400 美元。NAND 1Tb 晶圓價格約 25.1 美元,也處在高位。
這組數字說明,內存漲價已經不是剛剛啟動的低位修復,而是進入異常高價區間。價格繼續上漲會放大存儲廠利潤彈性,也會壓縮下游客戶補庫存的容忍度。一旦 PC、手機或部分伺服器客戶開始推遲採購,現貨價格在夏季出現回調並不意外。

DRAM/NAND 現貨與合同價趨勢:16Gb DDR5 現貨約 49 美元,16Gb DDR4 約 80 美元,伺服器 64GB DDR5 模組合同價超過 1,400 美元。
這也是美銀判斷裡最重要的邊界。價格可以繼續漲,但不能把三季度漲價直接外推成全年無風險上行。內存價格越高,需求彈性和客戶議價就越容易重新出現。
台積電和 ASML 的業績信号,為記憶體需求提供了旁證。
台積電二季度淨營收約 402 億美元,同比增長 34%,營業利潤率達到 60.3%。更重要的是,台積電將 2026 年資本支出指引上調至 600 億-640 億美元,並仍有美國工廠額外投資計劃。AI 晶片、先進封裝和高端伺服器需求維持強勁,對 HBM、SOCAMM、企業級 SSD 等記憶體相關產品形成支撐。
ASML 二季度淨銷售額 93 億歐元,同比增長約 21%。按地區看,韓國佔二季度系統銷售約 43%。這說明韓國存儲廠仍在為後續先進製程和高帶寬記憶體需求投入設備。

TSMC 營收、利潤率及資本支出對比:二季度營業利潤率約 60%,2026 年資本支出指引上調至 600 億-640 億美元。
這些信號不能簡單等同於「記憶體價格一定繼續漲」,但它們解釋了為什麼存儲漲價不只是短期炒作。AI 伺服器擴張會消耗更多 HBM 和高端 DRAM,也會帶動配套 eSSD 和系統記憶體需求。只要資本支出沒有明顯放緩,記憶供應商就有更強的談價基礎。
不過,AI 資本支出傳導到記憶訂單需要時間。晶片廠、雲廠商、伺服器 ODM、存儲廠之間的訂單節奏並不完全同步。如果資本支出集中在邏輯晶片或先進封裝,未必會立刻轉化為所有 DRAM 和 NAND 品類的漲價。
供應鏈數據也支持記憶價格短期偏強。
韓國海關數據經媒體轉述顯示,7 月 1 日至 10 日,韓國半導體出口額達到 112 億美元,同比增長 193%。美銀轉述數據還顯示,該數據環比增長 1.3%,並已連續六個月實現三位數同比增長。中國台灣科技公司 6 月銷售中,邏輯、代工和 ODM 環比表現較強,記憶廠商則在同比維度領漲。

中國進口數據同樣顯示補庫存仍在繼續。美銀援引數據顯示,6 月中國集成電路進口額創下 596 億美元紀錄,同比增長 72%。5 月記憶進口額達到 308 億美元,佔總進口的 54%,同比增長 249%。

這些數據說明,需求端並不僅僅只有單一客戶在拉貨。但它們不能直接證明終端消費已經全面復甦。
例如,美銀援引數據顯示,中國 5 月智慧手機出貨量同比增長 19% 至 2,680 萬部,但二季度整體仍下滑 4.3%。這說明,部分進口和拉貨可能來自庫存重建、產品切換或供應安全考慮,而不完全是消費者需求突然加速。

對內存價格來說,補庫存可以推高短期 ASP。如果終端銷量跟不上,高價最終會反過來壓制客戶採購節奏。
這份報告最值得關注的地方,是美銀把三季度 DRAM ASP 漲幅推到 21%,並用伺服器合同價、現貨價格、資本支出和供應鏈數據共同支撐這個判斷。
但它仍有幾道限制。
第一,美銀和 TrendForce 在二季度高基數上存在口徑差異。如果二季度實際漲幅更高,三季度環比漲幅可能被壓低。第二,LTA 佔比雖然不到一半,但合同執行、客戶接受度和具體結算價格仍有變數。第三,當前 DDR5、DDR4 和伺服器模組價格已經處在多年高位,夏季現貨回調可能隨時出現。
這也是內存股近期波動加大的原因。2026 年以來,SanDisk、Kioxia 等部分內存相關股票漲幅巨大,但 7 月上半月又因財報不及預期擔憂出現回調。低市盈率不等於低風險,周期品在高價階段的利潤彈性和回撤速度往往同時放大。
三季度要驗證的,不是「內存有沒有漲價」,而是 20% 以上的 DRAM 漲幅能否在合同和現貨兩端同時落地。若 9 月旺季拉貨延續,AI 伺服器需求繼續消化高價,美銀的樂觀預測就更容易兌現。若現貨先回調、下游客戶推遲採購,三季度 21% 的 ASP 漲幅會成為市場分歧最大的數字。
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