路透社：三星、SK海力士升級中國工廠，以應對長江存儲競爭

BlockBeats 消息，10 月 21 日，據路透社報導，三星電子與 SK 海力士正在升級其中國工廠，計劃生產層數更高的 NAND 閃存晶片，以應對中國競爭對手長江存儲的快速發展，並滿足人工智能領域不斷增長的存儲需求。兩家公司均向路透社確認正在進行相關升級，並稱相關工作與美國方面保持密切溝通，但未披露具體生產計劃。

三星計劃將其位於中國西安的工廠升級為生產 286 層 V9 NAND 閃存晶片。該工廠目前主要生產約 200 層的晶片，佔三星全球 NAND 產量的約 40%。據知情人士透露，三星內部將這一項目稱為「Monami」，目標是在 2026 年 12 月實現每月 5000 片晶圓的產量，並於 2027 年 12 月將月產量提升至 4 萬片。

三星表示，此次升級旨在滿足包括美國客戶在內的全球客戶需求，不涉及擴大產能或新建製造設施。SK 海力士則計劃將其位於中國大連的工廠升級為生產 240 層及以上的 NAND 產品，目前該廠生產的產品約為 192 層。據知情人士透露，該公司已獲准在大連生產最高 240 層的晶片，並可能向美國政府申請在當地開展 300 層以上晶片的研發，為未來在美國生產相關產品奠定基礎。

SK 海力士還正與特朗普政府討論在美國新建 NAND 工廠的計劃。報導指出，美國自 2022 年起對部分晶片製造設備實施出口管制，三星和 SK 海力士若要在中國工廠安裝美國製造的設備，需要每年申請許可證。美國商務部工業與安全局（BIS）此前表示，計劃允許兩家公司繼續運營現有中國工廠，但不打算批准擴大產能或升級技術的申請。路透社尚無法確認兩家公司為此次升級所需的設備出口許可獲得了何種程度的批准。

與此同時，長江存儲在中國 NAND 市場的份額持續上升。研究機構 Omdia 數據顯示，長江存儲 2026 年第二季度在中國 NAND 市場的份額達到 38.5%，高於 2025 年全年的 28%，並超過三星。同期，三星市場份額從 36% 降至 33.5%，SK 海力士則從 20% 降至 17%。長江存儲目前主要生產 160 層和 232 層產品，也已少量生產 294 層晶片，並計劃推出 300 層以上產品。目前，三星在中國以外市場銷售最高 286 層的 NAND 晶片，並於今年 8 月展示了超過 400 層的原型產品；SK 海力士則銷售最高 321 層的 NAND 晶片。