SK Hynix 加快龍仁半導體集群建設，已啟動 Y1 晶圓廠設備採購

BlockBeats 消息，7 月 14 日，据韓媒 ZDNET 報道，SK 海力士已開始為龍仁半導體集群首座晶圓廠 Y1 的第一階段潔淨室採購設備，初期計畫新增月產 2 萬片的 1c DRAM 產能。

Y1 原計畫於 2027 年 5 月啟用第一階段潔淨室，現已提前至 2027 年 2 月。公司計畫屆時啟動試生產線建設，並於 3 月至 4 月進行正式設備安裝，擴大月產 2 萬片的生產能力。

該產線主要生產第六代 10 納米級 1c DRAM，可用於 AI 相關高附加值 DDR、LPDDR 產品，並計畫應用於最早於 2027 年商業化的 HBM4E。為加快設備導入，SK 海力士還將通常於年末進行的設備售價合同談判提前至第三季度初。

SK 海力士正同步加快龍仁半導體集群整體建設進度。該項目總投資約 600 萬億韓元，由 4 座晶圓廠組成，第四座晶圓廠完工目標已由 2045 年提前至 2033 年；Y1 第二及第三階段潔淨室預計將於今年下半年開始建設。