三星混合封装技术预计将用于英伟达下一代AI加速器Feynman，芯片将采用定制HBM

BlockBeats 消息，7 月 21 日，三星電子已在平澤 P5 工廠開始建設 Die-to-Wafer（晶粒到晶圓）混合鍵合量產線，目標直指下一代 HBM 與邏輯半導體的先進封裝。核心設備供應商首選荷蘭 Besi，三星計劃採購約 50 台混合鍵合機，單台約 60 億韓元（約 430 萬美元），價格是競品兩倍。但因三星要求設備架構定制修改談判進展較慢，且 Besi 同時供應台積電與美光，對單獨為三星改機態度謹慎。

三星同步考慮本土替代方案：子公司 SEMES 已完成 D2W 混合鍵合機開發並於今年較早些時候送樣驗證；韓華 Semitech 於 2 月完成第二代「SHB2 Nano」開發，4 月已向 SK 海力士送樣，其集成 EFEM、等離子激活與清洗模塊的集群系統形成差異化競爭力。

該技術採用混合銅鍵合替代傳統熱壓鍵合，可直接鍵合銅與介電材料，大幅縮短互連長度，核心應用場景為定制 HBM——將 HBM DRAM 層直接垂直堆疊在含客戶計算電路和 IP 的邏輯 die 上形成 3D 系統級封裝。

Citrini 分析師 Jukan 表示，混合鍵合預計將用於英偉達下一代 AI 加速器 Feynman，該晶片將採用定制 HBM，而技術落地時間「已從 HBM4E 向後推遲」。三星內部預計 2029 至 2030 年左右方能實現規模化應用，時間點與英偉達 Feynman 預期窗口重合。