伯恩斯坦解讀：內存還在漲，但手機和 PC 已經扛不住

摘要
· 伯恩斯坦 6 月追踪显示，2QCY26 常規 DRAM 樣本合約價格環比上漲約 74%，NAND 約上漲 60%。
· TrendForce 公開口徑預計 3Q26 一般型 DRAM 漲 13%-18%，NAND Flash 漲 10%-15%。
· 三星、SK 海力士、美光仍受益，但 LTA 上限、手機減產和 NAND 競爭會壓住漲幅實現。

伯恩斯坦最新 6 月內存追踪將內存價格上漲推至一個非常高的水平。其樣本加權顯示，2QCY26 常規 DRAM 合約價格較上一季度上漲約 74%，NAND 整體合約價格約上漲 60%。

這組數字對投資者的意義非常直接：內存價格上漲將提高三星電子、SK 海力士、美光、SanDisk 等廠商的收入和利潤預期，同時會增加 PC、手機、伺服器廠商的採購成本。過去幾個月，人工智慧伺服器和雲端廠商的需求推高了內存價格，但普通消費電子已開始出現反作用，手機廠商減產、降低配置，個人電腦和消費端也更難消化持續上漲的價格。

需要區分的是，伯恩斯坦 6 月追踪屬於報告樣本口徑，並非 TrendForce 公開發布的官方最終數值。TrendForce 3 月公開預測曾給出 2Q26 一般型 DRAM 合約價格季增 58%-63%、NAND Flash 季增 70%-75%。截至 7 月 3 日，TrendForce 公開口徑預計 3Q26 一般型 DRAM 合約價格季增 13%-18%，NAND Flash 合約價格季增 10%-15%。

換句話說，內存價格仍在上漲，伺服器短缺也尚未結束，但最陡的一段上漲可能已經過去。

DRAM 二季度樣本上漲 74%，伺服器 DDR5 仍是最熱需求

DRAM 價格仍然強勁，來自伺服器的支撐。

伯恩斯坦 6 月追踪顯示，現貨價格延續 5 月反彈。PC DRAM DDR4、DDR5 芯片環比上漲 5.6%-11.5%，伺服器 DRAM 模組環比上漲 6.1%-26.4%，其中 DDR5 表現尤其強勁。更重要的是，現貨價格仍明顯高於合約價格，買方如果不通過長期協議鎖貨，在現貨市場拿貨的成本仍然更高。

二季度常規 DRAM 合約價的分項漲幅顯示，漲價並不只發生在單一品類。PC DRAM 環比上漲約 49%，伺服器 DRAM 上漲約 67%，移動 DRAM 約 80%，消費 DRAM 約 85%。其中伺服器端的意義最大，因為它和 AI 資料中心、雲廠商資本開支直接相關，也更能支撐記憶體廠商的利潤預期。

DRAM 現貨與合約價彙總；2QCY26 常規 DRAM 樣本加權平均 QoQ+73.9%，伺服器 DDR5 模組現貨環比+26.4%。

美國雲服務商仍在優先拿供給。報告提到，SK 海力士和美光在 4 月已基本談妥相關長期協議，三星仍在推動更高價格。美光的長期協議價格上限接近其二季度水平，三星和 SK 海力士的上限可能更高。中國雲廠商的談判仍延續到三季度，條款相對不那麼有利。

這也是合約價漲幅會放緩、但短期不等於掉頭下跌的原因。伺服器需求還在消化新增供給，尤其是 DDR5 和高階伺服器模組，仍然是整個 DRAM 市場最強的部分。

伺服器 DDR5 RDIMM 現貨與合約價對比；現貨價遠高於合約價，6 月合約價環比+9.1%，DDR5 比 DDR4 溢價擴大至 22%。

NAND 也在漲，但晶圓端已經弱下來

NAND 表面上也處在大漲周期中，但結構比 DRAM 更複雜。

伯恩斯坦樣本顯示，6 月 NAND 晶圓現貨價環比下跌 3%-4%，晶圓合約價僅環比微升 0.3%-3.7%。單看晶圓，價格已經明顯弱於前期。但移動 NAND 和 SSD 合約價預計大漲 70%-80%，拉動二季度整體 NAND 合約價仍約上漲 60%。

NAND 不是所有環節都在同樣漲。晶圓端已經露出疲態，終端產品和企業級需求仍在支撐整體均價。

這也解釋了為什麼三季度 NAND 漲幅難以維持二季度水平。二季度的高漲幅更多來自移動 NAND 和 SSD 價格上調，一旦手機廠商減少採購、降低容量配置，NAND 價格壓力會比伺服器 DRAM 更快顯現。

NAND 晶圓及 eMMC/UFS 合約價走勢；TLC 晶圓合約價 6 月 MoM+3.7%，QLC MoM+0.3%，但移動 NAND 和 SSD 推動 2Q 整體 QoQ 約+60%。

對 SanDisk、鎧俠等 NAND 相關公司來說，這種分化尤其重要。短期價格仍然向上，但如果晶圓先走弱，後續利潤彈性就更依賴企業級 SSD、移動端合約執行和庫存消化速度。

三季度還會漲，只是速度慢了

三季度不是漲價結束，而是漲價速度降下來。

TrendForce 7 月 3 日公開口徑預計，3QCY26 一般型 DRAM 合約價季增 13%-18%，NAND Flash 合約價季增 10%-15%。相比二季度，漲幅已經明顯收斂。

壓力來自兩端。

一邊是 AI 伺服器仍在拿貨，美國雲服務商也獲得優先供給，短期持續支撐價格。另一邊是消費電子已經開始調整。手機 OEM 開始下調生產計劃和內存用量，低中端機型受到的影響更大，因為它們更依賴 LPDDR4 等成熟產品，也更難把成本上漲轉嫁給消費者。

TrendForce 此前公開預計，2026 年全球智慧手機產量將同比下降 10% 至約 11.35 億部，悲觀情境下跌幅可能擴大至 15% 以上。當手機產量下滑和內存降規同時發生，移動 DRAM 和移動 NAND 的漲價空間就會被壓住。

PC 端也有類似壓力。6 月 PC DDR4、DDR5 晶片現貨仍在上漲，但如果終端需求無法承受更高成本，採購節奏可能放緩，渠道也會更謹慎補庫存。

PC DDR5 晶片現貨與合約價走勢；2025 年底至 2026 年 6 月現貨從低位快速反彈，3-4 月短暫回調後再次上行。

另一個約束來自長期協議。LTA 可以幫助內存廠商鎖定訂單、降低價格回落時的衝擊，但也可能限制進一步漲價。尤其當部分協議設定價格上限後，現貨價格再高，也不一定能完全反映到廠商當季平均銷售價格裡。

所以，二季度合同價樣本漲幅不能簡單等同於每家公司實際 ASP 漲幅。產品組合、HBM 佔比、LTA 執行價格上限、季度末最終結算，都會影響三星、SK 海力士、美光等公司的最終收入確認。

廠商仍受益，手機和 LTA 會壓住兌現幅度

內存廠商仍是最直接受益方。

据 Investing.com 6 月報導，伯恩斯坦將三星電子目標價上調至 44 萬韓元、SK 海力士上調至 330 萬韓元、美光上調至 1,300 美元，並維持「跑贏大盤」評級。SanDisk 目標價也被上調至 3,000 美元，維持「跑贏大盤」評級，理由與新的內存長期協議和價格下限有關。鎧俠維持「跑輸大盤」評級。

評級本身不是這篇文章的重點。更重要的是，在當前價格環境下，市場仍願意給頭部 DRAM 和部分 NAND 廠商更高盈利預期。

但短期漲價不能直接推導成長期無風險上行。

消費端需求破壞已經出現。手機廠商降產量、降規格，低中端機型更敏感。內存價格上漲越快，終端廠商越可能通過減少容量、改用舊世代產品或延遲採購來應對。

供應也會繼續爬坡。伯恩斯坦模型假設中，內存價格將在 2H CY27 逐步見頂，並在 CY28 正常化。當前短缺更多是 AI 伺服器需求強、供應調整滯後、長期協議鎖貨共同作用的結果，不是供需矛盾永久存在。

中國廠商在 NAND 領域的競爭仍是長期壓力。相比 DRAM，NAND 更容易受到新增產能和價格競爭影響。一旦需求放緩疊加供應增加，價格回落可能先從 NAND 較弱的環節開始。

這輪內存行情的短期主線仍然清楚：伺服器和 AI 需求讓 DRAM 價格維持高位，NAND 二季度也被移動端和 SSD 價格拉上去。但從三季度開始，手機、PC 和消費端承壓會讓漲價速度明顯下降。對投資者來說，「價格還在漲」和「最強漲價階段已經過去」，已經是兩件需要分開看的事。

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