長鑫攻下HBM3E：離全球頂尖只差一代

動察 Beating AI 快訊，《The Information》援引兩名知情人士稱，長鑫存儲已經開始小批量生產 HBM3E，並計劃在 2027 年擴大產量。HBM 是放在 AI 晶片旁邊的高速內存，負責快速給晶片傳送數據。HBM2 及以上產品也一直是國產 AI 晶片的一塊關鍵短板。

寒武紀和阿里平頭哥等國內晶片團隊已經在測試長鑫的 HBM，進展順利的話，最快明年就會用進產品。HBM3E 也是英偉達 H200 和 Blackwell 使用的一代內存。按產品代間看，長鑫目前只比 SK 海力士、三星和美光正在量產的 HBM4 落後一代。

不過，小批量生產離成熟量產還有距離。長鑫 HBM3E 目前良率仍然偏低，速度和可靠性也不及三大廠。SK 海力士早在 2024 年就開始量產 HBM3E，目前三大廠已經進入 HBM4 階段，並開始送樣 HBM4E。

長鑫這次跨過的是「能不能做出來」這一關，下一關是把良率和產量真正拉上去。