韓媒：三星正開發8層HBM4E，以滿足英偉達要求

BlockBeats 消息，8 月 28 日，据《首爾經濟日報》報導，三星電子正按照英偉達要求開發 8 層 HBM4E 產品，擬用於英偉達定制高帶寬存儲器 NVHBM。該方案較三星原先準備的 12 層和 16 層產品減少堆疊層數，英偉達提出的目標速度為 17 至 18Gbps，較三星早期 HBM4E 樣品的 14.4Gbps 提高約 20%。

採用 8 層設計可降低晶圓減薄、精密堆疊及後端封裝難度，減輕良率壓力並提高供應能力。NVHBM 可能從預計明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 開始應用。Rubin Ultra 的 GPU 互連規模將由現有 72 顆擴大至最多 576 顆，以更多高速 GPU 協同彌補單顆 GPU 存儲容量下降。

三星同時具備 DRAM、邏輯晶片及基礎裸片的設計和生產能力，可為定制 HBM 提供一站式服務。業內人士認為，三星已在 HBM4 上展示較高傳輸速度，在英偉達將競爭重點由高堆疊轉向高速傳輸後，其相關能力可能獲得更多關注。