BlockBeats 消息,8 月 24 日,SK 海力士正在為其下一代 HBM 解決方案引入包括英特爾 EMIB 在內的先進封裝技術,並計劃最終邁入 3D 封裝時代。
在 2026 年的 Hot Chips 大會上,SK 海力士封裝工程副總裁 Jaesik Lee 發表了題為「高帶寬內存的先進封裝」的報告,詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其 HBM 產品路線圖,目前 SK 海力士正在探索混合鍵合(Hybrid Bonding)等方法,以突破 16 層堆疊的限制,未來,SK 海力士還計劃通過增加 TSV 數量、提高邏輯工藝集成的 IO 速度,以及優化電源分配網路(PDN)來解決功耗挑戰。
截至發文時,SK 海力士韓股漲 1.71%。