三星電子公佈新一代光刻技術路線圖，將在1nm節點大規模生產中部署高NA EUV

BlockBeats 消息，8 月 11 日，三星電子技術專家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 會議上宣布，三星電子計劃在其 1 納米製程中引入光刻技術的一項重大創新，該製程最早可能在 2030 年進入量產。該公司打算在 1nm 節點大規模生產中部署高 NA EUV，這是一種下一代極紫外光刻技術，目前正在專注於開發商業化所需的技術。

此外，三星電子還在加強高 NA EUV 的開發，這是 EUV 技術的下一代。該公司將 1nm（或 A10）製程作為其在量產中全面部署的目標。「A」指的是埃（angstrom），1 埃等於 0.1nm。

根據這一路線圖，三星電子預計將於 2030 年左右開始在量產中使用高 NA EUV。該公司已實現 2nm 製程的商業化，並計劃於 2029 年開始量產其 1.4nm SF1.4 製程。據報導，它正準備在 2030 年開始量產 SF1.4+（1.4nm 製程的增強版）以及其 1nm 製程。