中國 DUV 量產疊加 AI 資本支出擔憂等因素，引發美韓半導體板塊抛售，韓國 KOSPI 指數觸發熔斷

BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指數今日下跌 8% 触发熔斷機制，SK 海力士跌超 12%，三星電子跌超 10%，美股周一費城半導體指數一度跌超 5%。本輪美股與韓股半導體板塊大跌，主要由中國晶片產業進展、AI 資本支出擔憂及投資者高位獲利了結等因素共同推動。

中國在半導體製造設備領域取得進展，中國企業已開始量產自主研發的 DUV（深紫外）光刻機製造設備，引發半導體設備股抛售，阿斯麥（ASML）大跌 5.80%。不過，三星證券指出，相關設備仍需驗證量產能力，短期產量有限，且中國 AI 晶片和伺服器 DRAM 暫難進入美國數據中心生態，對本輪 AI 半導體周期的實際影響有限。此外，Citrini 分析師 Jukan 表示，中國在 DUV 光刻技術方面取得進展的消息並不特別令人意外，市場此前已對此形成一定預期。The Information 的相關報導僅援引中國某所交通大學教授在 6 月一次內部會議上的發言，並未披露更多實質性信息。ASML 等半導體設備股出現的抛售反應過度。

摩根大通認為，中國國產浸沒式 DUV 光刻設備雖已開始小規模生產，並計劃於 2026 年和 2027 年分別生產約 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大規模量產能力仍需進一步驗證，距離真正替代 ASML 設備尚遠。近期 ASML 等半導體股下跌更多源於市場情緒惡化，而非基本面受損，ASML 的業績軌跡預計不會因此改變。

長鑫科技上市首日上漲 466%，成為中國市值最大的 A 股上市公司，市場認為中國存儲產業自給化進程可能加速。分析認為，長鑫科技完成亞洲今年規模最大的 IPO 後，意味著公司資本更充足，進一步提升其未來擴產、技術研發等能力。給全球存儲晶片龍頭造成長期競爭壓力。受此影響，存儲板塊全線下跌，閃迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部數據（WDC）跌 4.21%。

與此同時，英偉達近期公布 7500 億美元的大規模基礎設施合作重新引發市場對 AI 資本支出回報、循環融資及供應商融資風險的擔憂。投資者開始質疑巨額數據中心投入能否轉化為足夠收入，相關擔憂進一步壓制晶片股估值。英偉達的債務違約保險成本飆升，引發科技股走低，英偉達（NVDA）跌 4.99%。野村資產管理公司首席策略師 Hideyuki Ishiguro 表示，在有關英偉達重大投資交易的報導後，其信用風險上升，這被投資者視為利空信號。

此外，半導體板塊此前漲幅較大，市場本身已進入獲利了結階段。半導體周期見頂、過度資本支出削弱盈利能力及中國半導體自給率提升等舊有看跌敘事被重新交易，形成股價下跌與市場情緒惡化相互強化的局面。三星證券認為，本輪下跌更多反映板塊情緒脆弱，尚不足以證明 AI 資料中心投資周期已經見頂。