美光全球擴產加速：日本93億美元廣島工廠奠基，AI記憶體產能衝刺2028

BlockBeats 消息，7 月 5 日，美光科技（Micron）正全力推進全球產能擴張，以應對 AI 驅動的 HBM、DRAM 及 NAND 內存嚴重短缺。公司預計供給緊張局面將延續至 2026 年後，新產能從 2027 年起陸續釋放，整體投資規模龐大。其中：

美國本土重倉佈局

· 弗吉尼亞州 Manassas 工廠已於 2026 年 5 月實現 1α nm 製程量產，20 億美元擴產項目將 DDR4 晶圓供貨規模提升 4 倍，重點供應汽車、國防、工業等領域，獲晶片法案補助支持。

· 愛達荷州博伊西投資約 5000 億美元建設前沿工廠，已破土動工，首座工廠預計 2027 年中投產；公司近期進一步擴大美國投資至約 2000 億美元（製造+研發），包括新增第二座 fab。

· 紐約州 Clay 千億美元級 megafab 項目持續推進，計劃多座晶圓廠，目標 2030 年前後大規模量產。

亞洲同步擴產

· 日本廣島 7 月初舉行 1.5 萬億日圓（約 93 億美元）擴建奠基儀式，專注高端 HBM 等 AI 晶片，2028 年左右出貨，日本政府提供高額補助。

· 新加坡：1 月啟動 240 億美元 NAND 先進晶圓廠建設，2028 年下半年投產。

· 台灣：以 18 億美元收購力積電銅鑼晶圓廠，預計 2027 年投產 DRAM。

美光強調擴產主要為滿足長期需求及供應鏈本土化，並非短期大幅增加消費級供給。分析認為，整體 DRAM/NAND 短缺格局短期難改，價格仍有支撐。此輪全球擴產預計將顯著提升美光產能，並創造數萬個就業岗位。公司目標到 2030 年前後在美國生產約 40% 的 DRAM。更多動態將隨 AI 需求持續更新。